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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRF4C050APTR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RF4C050APTR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RF4C050APTR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RF4C050APTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Description détaillée
Emballage
8-PowerUDFN
Fiche technique
RF4C050APTR.pdf
État RoHS
En stock: 144200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RF4C050APTR
Rohm Semiconductor - RF4C050APTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RF4C050APTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur HUML2020L8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerUDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base RF4C050  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RF4C050APTR

Attributs du produit RF4C050APTR RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E080BNTR
Modèle de produit RF4C050APTR RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E080BNTR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (Max) -8V ±20V ±8V ±20V
Package / Boîte 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN
Séries - - - -
Package composant fournisseur HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Numéro de produit de base RF4C050 RF4E075 RF4C100 RF4E080
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 7.5A (Ta) 10A (Ta) 8A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 23.5 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1.2V @ 1mA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V 1000 pF @ 15 V 1660 pF @ 10 V 660 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V 21.7mOhm @ 7.5A, 10V 15.6mOhm @ 10A, 4.5V 17.6mOhm @ 8A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -

Fiche technique RF4C050APTR PDF

Téléchargez RF4C050APTR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RF4C050APTR - Rohm Semiconductor.

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Informations environnementales
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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