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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD5N50UTM
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD5N50UTM - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD5N50UTM
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD5N50UTM
Modèle ECAD
Description des pièces
3A, 500V, 2OHM, N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
FDD5N50UTM.pdf
En stock: 4790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD5N50UTM
Fairchild Semiconductor - FDD5N50UTM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD5N50UTM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD5N50UTM

Attributs du produit FDD5N50UTM FDD6030L FDD5N60NZTM FDD5N50FTM
Modèle de produit FDD5N50UTM FDD6030L FDD5N60NZTM FDD5N50FTM
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1230 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 28 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur - TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) - 3.2W (Ta), 56W (Tc) 83W (Tc) 40W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 12A (Ta), 50A (Tc) 4A (Tc) 3.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (Max) - ±20V ±25V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 14.5mOhm @ 12A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) - 30 V 600 V 500 V
Package / Boîte - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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