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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD30NE06LT4
STD30NE06LT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD30NE06LT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD30NE06LT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD30NE06LT4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD30NE06L.pdf
État RoHS
En stock: 5030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD30NE06LT4
STMicroelectronics - STD30NE06LT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD30NE06LT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base STD30N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD30NE06LT4

Attributs du produit STD30NE06LT4 STD2NK90ZT4 STD30NE06L STD30NF03LT4
Modèle de produit STD30NE06LT4 STD2NK90ZT4 STD30NE06L STD30NF03LT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 41 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 900 V 60 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Numéro de produit de base STD30N STD2 STD30N STD30N
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 70W (Tc) 55W (Tc) 50W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 2.1A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 2370 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V
Séries STripFET™ SuperMESH™ STripFET™ STripFET™ II
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 15A, 10V 6.5Ohm @ 1.05A, 10V 28mOhm @ 15A, 10V 25mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique STD30NE06LT4 PDF

Téléchargez STD30NE06LT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD30NE06LT4 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD30NE06LT4

STMicroelectronics
32D-STD30NE06LT4

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