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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxQS5W2TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS5W2TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS5W2TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS5W2TR
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
Description détaillée
Emballage
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Fiche technique
QS5W2TR.pdf
État RoHS
En stock: 155990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS5W2TR
Rohm Semiconductor - QS5W2TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS5W2TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A  
Transistor Type 2 NPN (Dual) Common Emitter  
Package composant fournisseur TSMT5  
Séries -  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 320MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 3V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A  
Numéro de produit de base QS5W2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS5W2TR

Attributs du produit QS5W2TR QS5Y2FSTR QS5U36TR QS5V9910-2SOC
Modèle de produit QS5W2TR QS5Y2FSTR QS5U36TR QS5V9910-2SOC
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor QS
Transistor Type 2 NPN (Dual) Common Emitter NPN, PNP (Emitter Coupled) - -
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A 3A - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 3V 180 @ 50mA, 3V - -
Séries - - - -
Numéro de produit de base QS5W2 QS5Y2 QS5U36 -
Puissance - Max 1.25W 500mW - -
Fréquence - Transition 320MHz 320MHz, 300MHz - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A - -
Package composant fournisseur TSMT5 TSMT5 TSMT5 -

Fiche technique QS5W2TR PDF

Téléchargez QS5W2TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS5W2TR - Rohm Semiconductor.

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Informations environnementales
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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