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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleQS5U27TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS5U27TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS5U27TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS5U27TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Description détaillée
Emballage
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Fiche technique
QS5U27TR.pdf
État RoHS
En stock: 133240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS5U27TR
Rohm Semiconductor - QS5U27TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS5U27TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT5  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numéro de produit de base QS5U27  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS5U27TR

Attributs du produit QS5U27TR QS5U17TR QS5U36TR QS5U34TR
Modèle de produit QS5U27TR QS5U17TR QS5U36TR QS5U34TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 900mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Numéro de produit de base QS5U27 QS5U17 QS5U36 QS5U34
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 2A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V 175 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique QS5U27TR PDF

Téléchargez QS5U27TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS5U27TR - Rohm Semiconductor.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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