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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleQS5U36TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS5U36TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS5U36TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS5U36TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Description détaillée
Emballage
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Fiche technique
QS5U36TR.pdf
État RoHS
En stock: 139370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS5U36TR
Rohm Semiconductor - QS5U36TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS5U36TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT5  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base QS5U36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS5U36TR

Attributs du produit QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Modèle de produit QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Séries - - - -
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±12V 10V ±12V
Numéro de produit de base QS5U36 QS5U28 QS5U34 QS5U21
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Package composant fournisseur TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA

Fiche technique QS5U36TR PDF

Téléchargez QS5U36TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS5U36TR - Rohm Semiconductor.

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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