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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleQS5U33TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS5U33TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS5U33TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS5U33TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Description détaillée
Emballage
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Fiche technique
QS5U33TR.pdf
État RoHS
En stock: 137100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS5U33TR
Rohm Semiconductor - QS5U33TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS5U33TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT5  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base QS5U33  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS5U33TR

Attributs du produit QS5U33TR QS5U36TR QS5U34TR QS5U28TR
Modèle de produit QS5U33TR QS5U36TR QS5U34TR QS5U28TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Numéro de produit de base QS5U33 QS5U36 QS5U34 QS5U28
Séries - - - -
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V 3.5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta) 2A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±10V 10V ±12V

Fiche technique QS5U33TR PDF

Téléchargez QS5U33TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS5U33TR - Rohm Semiconductor.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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