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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVWM270-0075X2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VWM270-0075X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
VWM270-0075X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-VWM270-0075X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
Description détaillée
Emballage
V2-PAK
Fiche technique
VWM270-0075X2.pdf
État RoHS
En stock: 4920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VWM270-0075X2
IXYS - VWM270-0075X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - VWM270-0075X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur V2-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 100A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte V2-PAK  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 75V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 270A  
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numéro de produit de base VWM270  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS VWM270-0075X2

Attributs du produit VWM270-0075X2 PMDPB70EN,115 SI4952DY-T1-GE3 VWM200-01P
Modèle de produit VWM270-0075X2 PMDPB70EN,115 SI4952DY-T1-GE3 VWM200-01P
Fabricant IXYS Nexperia USA Inc. Vishay Siliconix IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 130pF @ 15V 680pF @ 13V -
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Séries - - TrenchFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 100A, 10V 57mOhm @ 3.5A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 5.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 2mA
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte V2-PAK 6-UFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) V2-PAK
Emballer Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Box
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Package composant fournisseur V2-PAK 6-HUSON (2x2) 8-SOIC V2-PAK
Puissance - Max - 510mW 2.8W -
Numéro de produit de base VWM270 PMDPB70 SI4952 VWM200
Tension drain-source (Vdss) 75V 30V 25V 100V
Type de montage Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Chassis Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 270A 3.5A 8A 210A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V 4.5nC @ 10V 18nC @ 10V 430nC @ 10V

Fiche technique VWM270-0075X2 PDF

Téléchargez VWM270-0075X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour VWM270-0075X2 - IXYS.

Feuilles de données
VWM270-0075X2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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