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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI5944DU-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI5944DU-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI5944DU-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Fiche technique
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf
État RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® ChipFet Dual  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V  
Puissance - Max 10W  
Package / Boîte PowerPAK® ChipFET™ Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI5944  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI5944DU-T1-E3

Attributs du produit SI5944DU-T1-E3 SI5947DU-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3
Modèle de produit SI5944DU-T1-E3 SI5947DU-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 6A 3A 6A
Tension drain-source (Vdss) 40V 20V 20V 30V
Puissance - Max 10W 10.4W 1.1W 10.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V 58mOhm @ 3.6A, 4.5V 86mOhm @ 3A, 4.5V 54mOhm @ 3A, 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V 480pF @ 10V - 430pF @ 15V
Package composant fournisseur PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual
Numéro de produit de base SI5944 SI5947 SI5935 SI5997
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V 17nC @ 10V 8.5nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA

Fiche technique SI5944DU-T1-E3 PDF

Téléchargez SI5944DU-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI5944DU-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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