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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVWM200-01P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VWM200-01P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
VWM200-01P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-VWM200-01P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Description détaillée
Emballage
V2-PAK
Fiche technique
VWM200-01P.pdf
En stock: 3850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VWM200-01P
IXYS - VWM200-01P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - VWM200-01P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur V2-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte V2-PAK  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 210A  
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numéro de produit de base VWM200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS VWM200-01P

Attributs du produit VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
Modèle de produit VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
Fabricant IXYS onsemi onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 3V @ 250µA
Numéro de produit de base VWM200 FDMS3669 FDPC8 AO660
Type de montage Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 1605pF @ 15V 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V 240pF @ 15V
Package / Boîte V2-PAK 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN SC-74, SOT-457
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V 24nC @ 10V 19nC @ 10V, 64nC @ 10V 8.5nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V 30V 25V 30V
Package composant fournisseur V2-PAK Power56 Powerclip-33 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 210A 13A, 18A 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) -
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max - 1W 800mW (Ta), 900mW (Ta) 1.15W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel Complementary
Séries - PowerTrench® PowerTrench® -

Fiche technique VWM200-01P PDF

Téléchargez VWM200-01P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour VWM200-01P - IXYS.

Feuilles de données
VWM200-01P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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