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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF9910
IRF9910 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9910 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9910
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9910
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF9910.pdf
En stock: 3940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9910
Infineon Technologies - IRF9910 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9910

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A, 12A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF99  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9910

Attributs du produit IRF9910 IRF9952TR IRF9952PBF IRF9910TRPBF
Modèle de produit IRF9910 IRF9952TR IRF9952PBF IRF9910TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V 190pF @ 15V 190pF @ 15V 900pF @ 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A, 12A 3.5A, 2.3A 3.5A, 2.3A 10A, 12A
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 9.3mOhm @ 12A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 14nC @ 10V 14nC @ 10V 11nC @ 4.5V
Numéro de produit de base IRF99 IRF995 IRF995 IRF99
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)

Fiche technique IRF9910 PDF

Téléchargez IRF9910 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9910 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF9910.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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