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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP02N120P
IXTP02N120P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP02N120P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP02N120P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP02N120P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(P,Y)02N120P.pdf
État RoHS
En stock: 32141

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP02N120P
IXYS - IXTP02N120P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP02N120P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 104 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP02  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP02N120P

Attributs du produit IXTP02N120P IXTP05N100 IXTN600N04T2 IXTN60N50L2
Modèle de produit IXTP02N120P IXTP05N100 IXTN600N04T2 IXTN60N50L2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Polar - TrenchT2™ Linear L2™
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 104 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 40W (Tc) 940W (Tc) 735W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1000 V 40 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 590 nC @ 10 V 610 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Numéro de produit de base IXTP02 IXTP05 IXTN600 IXTN60
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75Ohm @ 100mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Tc) 750mA (Tc) 600A (Tc) 53A (Tc)

Fiche technique IXTP02N120P PDF

Téléchargez IXTP02N120P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP02N120P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(P,Y)02N120P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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