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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTN550N055T2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTN550N055T2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTN550N055T2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTN550N055T2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXTN550N055T2.pdf
État RoHS
En stock: 907

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTN550N055T2
IXYS - IXTN550N055T2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTN550N055T2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 940W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 595 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 550A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTN550  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTN550N055T2

Attributs du produit IXTN550N055T2 IXTP05N100 IXTP02N120P IXTN90P20P
Modèle de produit IXTN550N055T2 IXTP05N100 IXTP02N120P IXTN90P20P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V 44mOhm @ 500mA, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 595 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur SOT-227B TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B
Séries TrenchT2™ - Polar PolarP™
Numéro de produit de base IXTN550 IXTP05 IXTP02 IXTN90
Dissipation de puissance (max) 940W (Tc) 40W (Tc) 33W (Tc) 890W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 55 V 1000 V 1200 V 200 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 550A (Tc) 750mA (Tc) 200mA (Tc) 90A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXTN550N055T2 PDF

Téléchargez IXTN550N055T2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTN550N055T2 - IXYS.

Feuilles de données
IXTN550N055T2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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