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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP08N100P
IXTP08N100P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTP08N100P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP08N100P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP08N100P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,P,Y)08N100P.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 23954

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTP08N100P
IXYS - IXTP08N100P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP08N100P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 800mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP08  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP08N100P

Attributs du produit IXTP08N100P IXTP01N100D IXTN90N25L2 IXTN79N20
Modèle de produit IXTP08N100P IXTP01N100D IXTN90N25L2 IXTN79N20
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 800mA (Tc) 400mA (Tc) 90A (Tc) 85A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V 640 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V 33mOhm @ 500mA, 10V -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Séries Polar Depletion Linear L2™ -
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 250 V 200 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 3mA 4V @ 20mA
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 735W (Tc) 400W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - Depletion Mode - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 0V 10V -
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Numéro de produit de base IXTP08 IXTP01 IXTN90 IXTN79
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

Fiche technique IXTP08N100P PDF

Téléchargez IXTP08N100P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP08N100P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P,Y)08N100P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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