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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP06N120P
IXTP06N120P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP06N120P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP06N120P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP06N120P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,P)06N120P.pdf
État RoHS
En stock: 15398

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP06N120P
IXYS - IXTP06N120P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP06N120P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP06N120P

Attributs du produit IXTP06N120P IXTP05N100 IXTP10N60P IXTP02N120P
Modèle de produit IXTP06N120P IXTP05N100 IXTP10N60P IXTP02N120P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc) 750mA (Tc) 10A (Tc) 200mA (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IXTP06 IXTP05 IXTP10 IXTP02
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 1610 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1000 V 600 V 1200 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32Ohm @ 500mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 740mOhm @ 5A, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 100µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 40W (Tc) 200W (Tc) 33W (Tc)
Séries Polar - Polar Polar

Fiche technique IXTP06N120P PDF

Téléchargez IXTP06N120P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP06N120P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P)06N120P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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