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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH3N150
IXTH3N150 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH3N150 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH3N150
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH3N150
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXTH3N150.pdf
État RoHS
En stock: 5058

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH3N150
IXYS - IXTH3N150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH3N150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1375 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH3N150

Attributs du produit IXTH3N150 IXTH48N65X2 IXTH34N65X2 IXTH48P20P
Modèle de produit IXTH3N150 IXTH48N65X2 IXTH34N65X2 IXTH48P20P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 1500 V 650 V 650 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base IXTH3 IXTH48 IXTH34 IXTH48
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries - Ultra X2 Ultra X2 PolarP™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 48A (Tc) 34A (Tc) 48A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 68mOhm @ 24A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V 85mOhm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1375 pF @ 25 V 4420 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 660W (Tc) 540W (Tc) 462W (Tc)

Fiche technique IXTH3N150 PDF

Téléchargez IXTH3N150 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH3N150 - IXYS.

Feuilles de données
IXTH3N150.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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