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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH32N65X
IXTH32N65X Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH32N65X - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH32N65X
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH32N65X
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXTx32N65X.pdf
État RoHS
En stock: 5939

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH32N65X
IXYS - IXTH32N65X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH32N65X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH32N65X

Attributs du produit IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
Modèle de produit IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Ultra X Ultra X2 Linear L2™ Linear L2™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 34A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 10400 pF @ 25 V 10700 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V 170mOhm @ 20A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
Numéro de produit de base IXTH32 IXTH34 IXTH40 IXTH30
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 500 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

Fiche technique IXTH32N65X PDF

Téléchargez IXTH32N65X PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH32N65X - IXYS.

Feuilles de données
IXTx32N65X.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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