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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH30N60L2
IXTH30N60L2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH30N60L2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH30N60L2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH30N60L2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q,T)30N60L2.pdf
État RoHS
En stock: 3322

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH30N60L2
IXYS - IXTH30N60L2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH30N60L2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 335 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH30N60L2

Attributs du produit IXTH30N60L2 IXTH30N50 IXTH3N100P IXTH30N25
Modèle de produit IXTH30N60L2 IXTH30N50 IXTH3N100P IXTH30N25
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15A, 10V 170mOhm @ 500mA, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 75mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10700 pF @ 25 V 5680 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 335 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 136 nC @ 10 V
Séries Linear L2™ MegaMOS™ Polar -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IXTH30 IXTH30 IXTH3 IXTH30
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 1000 V 250 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc) 360W (Tc) 125W (Tc) 200W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 3A (Tc) 30A (Tc)

Fiche technique IXTH30N60L2 PDF

Téléchargez IXTH30N60L2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH30N60L2 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,Q,T)30N60L2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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