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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH34N65X2
IXTH34N65X2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH34N65X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH34N65X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH34N65X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXTx34N65X2.pdf
État RoHS
En stock: 7378

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH34N65X2
IXYS - IXTH34N65X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH34N65X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH34  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH34N65X2

Attributs du produit IXTH34N65X2 IXTH30N60L2 IXTH30N50 IXTH2N150L
Modèle de produit IXTH34N65X2 IXTH30N60L2 IXTH30N50 IXTH2N150L
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 17A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V 170mOhm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 1A, 20V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries Ultra X2 Linear L2™ MegaMOS™ Linear
Numéro de produit de base IXTH34 IXTH30 IXTH30 IXTH2
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 8.5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc) 540W (Tc) 360W (Tc) 290W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V 10700 pF @ 25 V 5680 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V 72 nC @ 20 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 500 V 1500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXTH34N65X2 PDF

Téléchargez IXTH34N65X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH34N65X2 - IXYS.

Feuilles de données
IXTx34N65X2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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