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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH88N20Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH88N20Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH88N20Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH88N20Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,K,X)88N20Q.pdf
État RoHS
En stock: 5180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH88N20Q
IXYS - IXFH88N20Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH88N20Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 44A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH88N20Q

Attributs du produit IXFH88N20Q IXFH80N10 IXFH96N20P IXFH88N30P
Modèle de produit IXFH88N20Q IXFH80N10 IXFH96N20P IXFH88N30P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 300W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numéro de produit de base IXFH88 IXFH80 IXFH96 IXFH88
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 80A (Tc) 96A (Tc) 88A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Box Box
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 44A, 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 44A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 200 V 300 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXFH88N20Q PDF

Téléchargez IXFH88N20Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH88N20Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,K,X)88N20Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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