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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNP45N06VUK-E1-AY
NP45N06VUK-E1-AY Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NP45N06VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
NP45N06VUK-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-NP45N06VUK-E1-AY
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NP45N06VUK-E1-AY.pdf
État RoHS
En stock: 54690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NP45N06VUK-E1-AY
Renesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 23A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base NP45N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc NP45N06VUK-E1-AY

Attributs du produit NP45N06VUK-E1-AY NP45N06VDK-E1-AY NP40N10PDF-E1-AY APT12F60K
Modèle de produit NP45N06VUK-E1-AY NP45N06VDK-E1-AY NP40N10PDF-E1-AY APT12F60K
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Microsemi Corporation
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 500µA
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 23A, 10V 11.6mOhm @ 23A, 10V 27mOhm @ 20A, 10V 620mOhm @ 6A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 75W (Tc) 1.2W (Ta), 75W (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) 225W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Package composant fournisseur TO-263-3 TO-252 (MP-3ZP) TO-263 (D²Pak) TO-220 [K]
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 45A (Tc) 40A (Tc) 12A (Tc)
Température de fonctionnement 175°C 175°C 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Numéro de produit de base NP45N06 NP45N06 - APT12F60

Fiche technique NP45N06VUK-E1-AY PDF

Téléchargez NP45N06VUK-E1-AY PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour NP45N06VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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