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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDT55AN06LA0
FDT55AN06LA0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDT55AN06LA0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDT55AN06LA0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDT55AN06LA0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
FDT55AN06LA0.pdf
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDT55AN06LA0
onsemi - FDT55AN06LA0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDT55AN06LA0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 8.9W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.1A (Tc)  
Numéro de produit de base FDT55  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDT55AN06LA0

Attributs du produit FDT55AN06LA0 FDT86244 FDT461N FDT86106LZ
Modèle de produit FDT55AN06LA0 FDT86244 FDT461N FDT86106LZ
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 4 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 8.9W (Tc) 2.2W (Ta) 1.13W (Ta) 1W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.1A (Tc) 2.8A (Tc) 540mA (Ta) 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 11A, 10V 128mOhm @ 2.8A, 10V 2Ohm @ 540mA, 10V 108mOhm @ 3.2A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 150 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base FDT55 FDT86 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V 395 pF @ 75 V 74 pF @ 25 V 315 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDT55AN06LA0 PDF

Téléchargez FDT55AN06LA0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDT55AN06LA0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDT55AN06LA0.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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