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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S14N36G3VLT
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S14N36G3VLT - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HGT1S14N36G3VLT
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S14N36G3VLT
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL IGBT
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
HGT1S14N36G3VLT.pdf
État RoHS
En stock: 26677

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGT1S14N36G3VLT
Fairchild Semiconductor - HGT1S14N36G3VLT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGT1S14N36G3VLT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 390 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A  
Condition de test 300V, 7A, 25Ohm, 5V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/7µs  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries -  
Puissance - Max 100 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Logic  
type de IGBT -  
gate charge 24 nC  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 18 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT

Attributs du produit HGT1S14N36G3VLT HGT1S2N120CN HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60A4DS
Modèle de produit HGT1S14N36G3VLT HGT1S2N120CN HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60A4DS
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Collecteur (Ic) (max) 18 A 13 A 24 A 54 A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/7µs 25ns/205ns - 17ns/96ns
Type d'entrée Logic Standard Standard Standard
énergie de commutation - 96µJ (on), 355µJ (off) - 55µJ (on), 50µJ (off)
Puissance - Max 100 W 104 W 104 W 167 W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 390 V 1200 V 600 V 600 V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A 2.4V @ 15V, 2.6A 2.2V @ 15V, 15A 2.7V @ 15V, 12A
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Condition de test 300V, 7A, 25Ohm, 5V 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V - 390V, 12A, 10Ohm, 15V
gate charge 24 nC 30 nC 71 nC 78 nC
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) TO-262 TO-263AB D²PAK (TO-263)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries - - - -
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
type de IGBT - NPT - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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