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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S20N60A4S9A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGT1S20N60A4S9A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S20N60A4S9A
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HGT1S20N60A4S9A.pdf
En stock: 4690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGT1S20N60A4S9A
onsemi - HGT1S20N60A4S9A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGT1S20N60A4S9A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A  
Condition de test 390V, 20A, 3Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/73ns  
énergie de commutation 105µJ (on), 150µJ (off)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Puissance - Max 290 W  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 142 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 280 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A  
Numéro de produit de base HGT1S20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGT1S20N60A4S9A

Attributs du produit HGT1S20N60A4S9A HGT1S3N60A4DS9A HGT1S3N60B3DS HGT1S2N120CN
Modèle de produit HGT1S20N60A4S9A HGT1S3N60A4DS9A HGT1S3N60B3DS HGT1S2N120CN
Fabricant onsemi onsemi Harris Corporation Fairchild Semiconductor
type de IGBT - - - NPT
Condition de test 390V, 20A, 3Ohm, 15V 390V, 3A, 50Ohm, 15V 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A 2.7V @ 15V, 3A 2.1V @ 15V, 3.5A 2.4V @ 15V, 2.6A
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263AB TO-262
Emballer Tube Tube - Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
gate charge 142 nC 21 nC 18 nC 30 nC
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A 17 A 7 A 13 A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 280 A 40 A 20 A 20 A
Séries - - - -
Puissance - Max 290 W 70 W 33.3 W 104 W
Numéro de produit de base HGT1S20 HGT1S3N60 - -
énergie de commutation 105µJ (on), 150µJ (off) 37µJ (on), 25µJ (off) 66µJ (on), 88µJ (off) 96µJ (on), 355µJ (off)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/73ns 6ns/73ns 18ns/105ns 25ns/205ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 1200 V

Fiche technique HGT1S20N60A4S9A PDF

Téléchargez HGT1S20N60A4S9A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGT1S20N60A4S9A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Feuilles de données
HGT1S20N60A4S9A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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