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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S10N120BNS - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGT1S10N120BNS
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S10N120BNS
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS.pdf
État RoHS
En stock: 4720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGT1S10N120BNS
onsemi - HGT1S10N120BNS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGT1S10N120BNS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A  
Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns  
énergie de commutation 320µJ (on), 800µJ (off)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Puissance - Max 298 W  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 100 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A  
Numéro de produit de base HGT1S10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGT1S10N120BNS

Attributs du produit HGT1S10N120BNS HGT1S10N120BNST HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60A4DS
Modèle de produit HGT1S10N120BNS HGT1S10N120BNST HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60A4DS
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Puissance - Max 298 W 298 W 104 W 167 W
gate charge 100 nC 100 nC 71 nC 120 nC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
énergie de commutation 320µJ (on), 800µJ (off) 320µJ (on), 800µJ (off) - 55µJ (on), 50µJ (off)
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns 23ns/165ns - 17ns/96ns
type de IGBT NPT NPT - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 80 A 96 A 96 A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263AB TO-263AB
Numéro de produit de base HGT1S10 HGT1S10 - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V 960V, 10A, 10Ohm, 15V - 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A 2.7V @ 15V, 10A 2.2V @ 15V, 15A 2.7V @ 15V, 12A
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A 35 A 24 A 54 A

Fiche technique HGT1S10N120BNS PDF

Téléchargez HGT1S10N120BNS PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGT1S10N120BNS - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 23/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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