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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S12N60C3DS
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S12N60C3DS - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HGT1S12N60C3DS
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S12N60C3DS
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HGT1S12N60C3DS.pdf
En stock: 16084

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGT1S12N60C3DS
Fairchild Semiconductor - HGT1S12N60C3DS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGT1S12N60C3DS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-263AB  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 32 ns  
Puissance - Max 104 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 71 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 24 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS

Attributs du produit HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60B3S HGT1S20N36G3VLS HGT1S10N120BNS
Modèle de produit HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60B3S HGT1S20N36G3VLS HGT1S10N120BNS
Fabricant Fairchild Semiconductor Harris Corporation Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 415 V 1200 V
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-263AB D2PAK (TO-263) TO-263AB TO-263AB
gate charge 71 nC 68 nC 28.7 nC 100 nC
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Condition de test - 480V, 12A, 25Ohm, 15V 300V, 10A, 25Ohm, 5V 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Type d'entrée Standard Standard Logic Standard
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A 2.1V @ 15V, 12A 1.9V @ 5V, 20A 2.7V @ 15V, 10A
énergie de commutation - 304µJ (on), 250µJ (off) - 320µJ (on), 800µJ (off)
Temps de recouvrement inverse (trr) 32 ns - - -
Puissance - Max 104 W 104 W 150 W 298 W
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Collecteur (Ic) (max) 24 A 27 A 37.7 A 35 A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - 26ns/150ns -/15µs 23ns/165ns
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de IGBT - - - NPT
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A 110 A - 80 A

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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