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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS8672S
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8672S - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS8672S
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8672S
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8672S.pdf
En stock: 42900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8672S
Fairchild Semiconductor - FDS8672S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS8672S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS8672S

Attributs du produit FDS8672S FDS8690 FDS8690 FDS86540
Modèle de produit FDS8672S FDS8690 FDS8690 FDS86540
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 8V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 6410 pF @ 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta) 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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