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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS8638
FDS8638 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8638 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS8638
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8638
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8638.pdf
État RoHS
En stock: 37540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8638
onsemi - FDS8638 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS8638

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5680 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS8638

Attributs du produit FDS8638 FDS86252 FDS86540 FDS86540
Modèle de produit FDS8638 FDS86252 FDS86540 FDS86540
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta) 4.5A (Ta) 18A (Ta) 18A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5680 pF @ 15 V 955 pF @ 75 V 6410 pF @ 30 V 6410 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 8V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 18A, 10V 55mOhm @ 4.5A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDS86 FDS86 FDS86 -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 150 V 60 V 60 V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc)

Fiche technique FDS8638 PDF

Téléchargez FDS8638 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS8638 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDS8638.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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