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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS8670
FDS8670 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8670 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS8670
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8670
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8670.pdf
En stock: 3940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8670
onsemi - FDS8670 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS8670

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4040 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS8670

Attributs du produit FDS8670 FDS8690 FDS8672S FDS86540
Modèle de produit FDS8670 FDS8690 FDS8672S FDS86540
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDS86 - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta) 14A (Ta) 18A (Ta) 18A (Ta)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 21A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 8V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4040 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 2670 pF @ 15 V 6410 pF @ 30 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

Fiche technique FDS8670 PDF

Téléchargez FDS8670 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS8670 - onsemi.

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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