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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS8690
FDS8690 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8690 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS8690
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8690
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8690.pdf
État RoHS
En stock: 42240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8690
onsemi - FDS8690 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS8690

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS8690

Attributs du produit FDS8690 FDS8670 FDS8690 FDS8812NZ
Modèle de produit FDS8690 FDS8670 FDS8690 FDS8812NZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Numéro de produit de base FDS86 - - FDS88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 14A, 10V 3.7mOhm @ 21A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 15 V 4040 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 6925 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta) 21A (Ta) 14A (Ta) 20A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

Fiche technique FDS8690 PDF

Téléchargez FDS8690 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS8690 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
FDS8690.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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