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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF7N50
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF7N50 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDPF7N50
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF7N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF7N50.pdf
État RoHS
En stock: 60780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF7N50
Fairchild Semiconductor - FDPF7N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDPF7N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDPF7N50

Attributs du produit FDPF7N50 FDPF8D5N10C FDPF79N15 FDPF7N50F
Modèle de produit FDPF7N50 FDPF8D5N10C FDPF79N15 FDPF7N50F
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 130µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries UniFET™ PowerTrench® UniFET™ UniFET™
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc) 38W (Tc) 38.5W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 2475 pF @ 50 V 3410 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V 30mOhm @ 39.5A, 10V 1.15Ohm @ 3A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 76A (Tc) 79A (Tc) 6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 150 V 500 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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