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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF680N10T
FDPF680N10T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF680N10T - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF680N10T
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF680N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF680N10T.pdf
État RoHS
En stock: 65920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF680N10T
onsemi - FDPF680N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF680N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF680  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF680N10T

Attributs du produit FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
Modèle de produit FDPF680N10T FDPF770N15A FDPF6N60ZUT FDPF5N60NZ
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 10A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Séries PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ UniFET-II™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 600 V 600 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±25V
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc) 21W (Tc) 33.8W (Tc) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V 765 pF @ 75 V 865 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base FDPF680 FDPF770 - FDPF5

Fiche technique FDPF680N10T PDF

Téléchargez FDPF680N10T PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF680N10T - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FDPF680N10T.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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