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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF7N50U
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF7N50U - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDPF7N50U
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF7N50U
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF7N50U.pdf
État RoHS
En stock: 43020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF7N50U
Fairchild Semiconductor - FDPF7N50U Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDPF7N50U

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDPF7N50U

Attributs du produit FDPF7N50U FDPF8D5N10C FDPF6N60ZUT FDPF7N50F
Modèle de produit FDPF7N50U FDPF8D5N10C FDPF6N60ZUT FDPF7N50F
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 1.15Ohm @ 3A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 130µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc) 33.8W (Tc) 38.5W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 2475 pF @ 50 V 865 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 600 V 500 V
Séries UniFET™ PowerTrench® UniFET™ UniFET™
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 76A (Tc) 4.5A (Tc) 6A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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