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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF5N60NZ
FDPF5N60NZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF5N60NZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF5N60NZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF5N60NZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF5N60NZ.pdf
État RoHS
En stock: 51010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF5N60NZ
onsemi - FDPF5N60NZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF5N60NZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF5N60NZ

Attributs du produit FDPF5N60NZ FDPF7N50 FDPF5N60NZ FDPF5N50NZU
Modèle de produit FDPF5N60NZ FDPF7N50 FDPF5N60NZ FDPF5N50NZU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Séries UniFET-II™ UniFET™ UniFET-II™ UniFET-II™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 7A (Tc) 4.5A (Tc) 3.9A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 39W (Tc) 33W (Tc) 30W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 600 V 500 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base FDPF5 - - FDPF5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.25A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 1.95A, 10V

Fiche technique FDPF5N60NZ PDF

Téléchargez FDPF5N60NZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF5N60NZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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