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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMD8540L
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMD8540L - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMD8540L
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMD8540L
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMD8540L.pdf
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMD8540L
Fairchild Semiconductor - FDMD8540L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMD8540L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-Power 5x6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 33A, 10V  
Puissance - Max 2.3W  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7940pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A, 156A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base FDMD8540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMD8540L

Attributs du produit FDMD8540L FDME1034CZT FDME1024NZT FDMD8560L
Modèle de produit FDMD8540L FDME1034CZT FDME1024NZT FDMD8560L
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Package composant fournisseur 8-Power 5x6 6-MicroFET (1.6x1.6) 6-MicroFET (1.6x1.6) 8-Power 5x6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A, 156A 3.8A, 2.6A 3.8A 22A, 93A
Package / Boîte 8-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V 4.2nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V 128nC @ 10V
Puissance - Max 2.3W 600mW 600mW 2.2W
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7940pF @ 20V 300pF @ 10V 300pF @ 10V 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 33A, 10V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 3.2mOhm @ 22A, 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FDMD8540 FDME1034 FDME1024 FDMD8560
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40V 20V 20V 60V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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