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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMD8260L
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMD8260L - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMD8260L
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMD8260L
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
12-PowerWDFN
Fiche technique
FDMD8260L.pdf
En stock: 26659

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMD8260L
Fairchild Semiconductor - FDMD8260L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMD8260L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 12-Power3.3x5  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 12-PowerWDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDMD8260  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMD8260L

Attributs du produit FDMD8260L FDMC89521L FDME1023PZT FDMD8240L
Modèle de produit FDMD8260L FDMC89521L FDME1023PZT FDMD8240L
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V 24nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V 56nC @ 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 12-Power3.3x5 8-Power33 (3x3) 6-MicroFET (1.6x1.6) 12-Power3.3x5
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Numéro de produit de base FDMD8260 FDMC89521 FDME1023 FDMD8240
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Package / Boîte 12-PowerWDFN 8-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 12-PowerWDFN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 20V 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V 17mOhm @ 8.2A, 10V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V 2.6mOhm @ 23A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 8.2A (Ta) 2.6A 23A
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V 1635pF @ 30V 405pF @ 10V 4230pF @ 20V
Puissance - Max 1W 1.9W (Ta), 16W (Tc) 600mW 2.1W

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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