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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDME1034CZT
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDME1034CZT - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDME1034CZT
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDME1034CZT
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
6-UFDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDME1034CZT.pdf
En stock: 3830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDME1034CZT
Fairchild Semiconductor - FDME1034CZT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDME1034CZT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MicroFET (1.6x1.6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Puissance - Max 600mW  
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A, 2.6A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDME1034  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDME1034CZT

Attributs du produit FDME1034CZT FDMD8560L FDME1034CZT FDME1023PZT
Modèle de produit FDME1034CZT FDMD8560L FDME1034CZT FDME1023PZT
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 3.2mOhm @ 22A, 10V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V 128nC @ 10V 4.2nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base FDME1034 FDMD8560 FDME1034 FDME1023
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 600mW 2.2W 600mW 600mW
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Half Bridge) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 20V 60V 20V 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V 11130pF @ 30V 300pF @ 10V 405pF @ 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur 6-MicroFET (1.6x1.6) 8-Power 5x6 6-MicroFET (1.6x1.6) 6-UMLP (1.6x1.6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A, 2.6A 22A, 93A 3.8A, 2.6A 2.6A

Fiche technique FDME1034CZT PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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