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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMD8280
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMD8280 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMD8280
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMD8280
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
12-PowerWDFN
Fiche technique
FDMD8280.pdf
En stock: 4390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMD8280
Fairchild Semiconductor - FDMD8280 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMD8280

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 12-Power3.3x5  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 12-PowerWDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 80V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDMD82  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMD8280

Attributs du produit FDMD8280 FDME1034CZT FDMD8260L FDME1023PZT
Modèle de produit FDMD8280 FDME1034CZT FDMD8260L FDME1023PZT
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package / Boîte 12-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 12-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tension drain-source (Vdss) 80V 20V 60V 20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 5.8mOhm @ 15A, 10V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V 4.2nC @ 4.5V 68nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V
Numéro de produit de base FDMD82 FDME1034 FDMD8260 FDME1023
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Puissance - Max 1W 600mW 1W 600mW
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V 300pF @ 10V 5245pF @ 30V 405pF @ 10V
Package composant fournisseur 12-Power3.3x5 6-MicroFET (1.6x1.6) 12-Power3.3x5 6-UMLP (1.6x1.6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A 3.8A, 2.6A 15A 2.6A
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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