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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC8884
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC8884 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC8884
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC8884
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC8884.pdf
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC8884
onsemi - FDMC8884 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC8884

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 685 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 15A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC8884

Attributs du produit FDMC8884 FDMC8884 FDMC8882 FDMC8854
Modèle de produit FDMC8884 FDMC8884 FDMC8882 FDMC8854
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FDMC88 - FDMC88 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 685 pF @ 15 V 685 pF @ 15 V 945 pF @ 15 V 3405 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V 19mOhm @ 9A, 10V 14.3mOhm @ 10.5A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 15A (Tc) 9A (Ta), 15A (Tc) 10.5A (Ta), 16A (Tc) 15A (Tc)

Fiche technique FDMC8884 PDF

Téléchargez FDMC8884 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC8884 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 10/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
FDMC8884.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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