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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP3A13FTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP3A13FTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP3A13FTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMP3A13F.pdf
État RoHS
En stock: 180650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP3A13FTA
Diodes Incorporated - ZXMP3A13FTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP3A13FTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP3A13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP3A13FTA

Attributs du produit ZXMP3A13FTA ZXMP10A18KTC ZXMP2120FFTA ZXMP10A18K
Modèle de produit ZXMP3A13FTA ZXMP10A18KTC ZXMP2120FFTA ZXMP10A18K
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta) 3.8A (Ta) 137mA (Ta) 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 1.4A, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 28Ohm @ 150mA, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V
Package composant fournisseur SOT-23-3 TO-252-3 SOT-23F TO-252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 15 V 1055 pF @ 50 V 100 pF @ 25 V 1055 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 200 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V 26.9 nC @ 10 V - 26.9 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta) 2.17W (Ta) 1W (Ta) 2.17W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base ZXMP3A13 ZXMP10 ZXMP2120 ZXMP10
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-3 Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique ZXMP3A13FTA PDF

Téléchargez ZXMP3A13FTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP3A13FTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMP3A13F.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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