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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP2120G4TA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP2120G4TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP2120G4TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP2120G4TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
ZXMP2120G4.pdf
État RoHS
En stock: 4840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP2120G4TA
Diodes Incorporated - ZXMP2120G4TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP2120G4TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 150mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP2120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP2120G4TA

Attributs du produit ZXMP2120G4TA ZXMP10A17KTC ZXMP10A18K ZXMP2120E5TA
Modèle de produit ZXMP2120G4TA ZXMP10A17KTC ZXMP10A18K ZXMP2120E5TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 1mA
Package composant fournisseur SOT-223-3 TO-252-3 TO-252-3 SOT-25
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2.17W (Ta) 750mW (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 2.4A (Ta) 3.8A (Ta) 122mA (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 100 V 200 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 424 pF @ 50 V 1055 pF @ 50 V 100 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-74A, SOT-753
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base ZXMP2120 ZXMP10 ZXMP10 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 150mA, 10V 350mOhm @ 1.4A, 10V 150mOhm @ 2.8A, 10V 28Ohm @ 150mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique ZXMP2120G4TA PDF

Téléchargez ZXMP2120G4TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP2120G4TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf EOL 19-May-2022.pdf
Conception / spécification PCN
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXMP2120G4.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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