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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN2F34FHTA
ZXMN2F34FHTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN2F34FHTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN2F34FHTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN2F34FHTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMN2F34FH.pdf
État RoHS
En stock: 246110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN2F34FHTA
Diodes Incorporated - ZXMN2F34FHTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN2F34FHTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 950mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 277 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA

Attributs du produit ZXMN2F34FHTA ZXMN2B14FHTA ZXMN3A01ZTA ZXMN2F30FHQTA
Modèle de produit ZXMN2F34FHTA ZXMN2B14FHTA ZXMN3A01ZTA ZXMN2F30FHQTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta) 3.5A (Ta) 2.2A (Ta) 4.9A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 277 pF @ 10 V 872 pF @ 10 V 186 pF @ 25 V 452 pF @ 10 V
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Numéro de produit de base ZXMN2 ZXMN2 ZXMN3 ZXMN2
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V 4.8 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 950mW (Ta) 1W (Ta) 970mW (Ta) 1.4W
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-89-3 SOT-23-3
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.5A, 4.5V 55mOhm @ 3.5A, 4.5V 120mOhm @ 2.5A, 10V 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -

Fiche technique ZXMN2F34FHTA PDF

Téléchargez ZXMN2F34FHTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN2F34FHTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMN2F34FH.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMN2F34FHTA

Diodes Incorporated
32D-ZXMN2F34FHTA

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