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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN3A01FTC
ZXMN3A01FTC Image
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ZXMN3A01FTC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN3A01FTC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN3A01FTC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMN3A01F.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5320

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN3A01FTC
Diodes Incorporated - ZXMN3A01FTC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN3A01FTC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN3A01FTC

Attributs du produit ZXMN3A01FTC ZXMN3A02N8TA ZXMN2F34MATA ZXMN3A03E6TA
Modèle de produit ZXMN3A01FTC ZXMN3A02N8TA ZXMN2F34MATA ZXMN3A03E6TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 8-SO DFN322 SOT-23-6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 277 pF @ 10 V 600 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta) 1.56W (Ta) 1.35W (Ta) 1.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 25mOhm @ 12A, 10V 60mOhm @ 2.5A, 4.5V 50mOhm @ 7.8A, 10V
Numéro de produit de base ZXMN3 ZXMN3 - ZXMN3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta) 7.3A (Ta) 4A (Ta) 3.7A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V 26.8 nC @ 10 V 2.8 nC @ 4.5 V 12.6 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 3-PowerVDFN SOT-23-6
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V

Fiche technique ZXMN3A01FTC PDF

Téléchargez ZXMN3A01FTC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN3A01FTC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMN3A01F.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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