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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN3A01FTA
ZXMN3A01FTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN3A01FTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN3A01FTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN3A01FTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMN3A01F.pdf
État RoHS
En stock: 163790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated - ZXMN3A01FTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN3A01FTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN3A01FTA

Attributs du produit ZXMN3A01FTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A03E6TA
Modèle de produit ZXMN3A01FTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A03E6TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Numéro de produit de base ZXMN3 ZXMN2 - ZXMN3
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 DFN322 SOT-23-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta) 4.1A (Ta) 4A (Ta) 3.7A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta) 960mW (Ta) 1.35W (Ta) 1.1W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V 452 pF @ 10 V 277 pF @ 10 V 600 pF @ 25 V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-PowerVDFN SOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V 4.8 nC @ 4.5 V 2.8 nC @ 4.5 V 12.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 45mOhm @ 2.5A, 4.5V 60mOhm @ 2.5A, 4.5V 50mOhm @ 7.8A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V

Fiche technique ZXMN3A01FTA PDF

Téléchargez ZXMN3A01FTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN3A01FTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMN3A01F.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated
32D-ZXMN3A01FTA

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