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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN2B14FHTA
ZXMN2B14FHTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN2B14FHTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN2B14FHTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN2B14FHTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXMN2B14FH.pdf
État RoHS
En stock: 122310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN2B14FHTA
Diodes Incorporated - ZXMN2B14FHTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN2B14FHTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 872 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN2B14FHTA

Attributs du produit ZXMN2B14FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2A14FTA
Modèle de produit ZXMN2B14FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2A14FTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Package composant fournisseur SOT-23-3 DFN322 SOT-23-3 SOT-23-3
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1.35W (Ta) 1.4W 1W (Ta)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base ZXMN2 - ZXMN2 ZXMN2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 4A (Ta) 4.9A (Ta) 3.4A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 872 pF @ 10 V 277 pF @ 10 V 452 pF @ 10 V 544 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 2.8 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 10 V 6.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.5A, 4.5V 60mOhm @ 2.5A, 4.5V 45mOhm @ 2.5A, 4.5V 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)

Fiche technique ZXMN2B14FHTA PDF

Téléchargez ZXMN2B14FHTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN2B14FHTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMN2B14FH.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMN2B14FHTA

Diodes Incorporated
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