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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMHC3F381N8TC
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMHC3F381N8TC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMHC3F381N8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMHC3F381N8TC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMHC3F381N8.pdf
État RoHS
En stock: 89450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMHC3F381N8TC
Diodes Incorporated - ZXMHC3F381N8TC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMHC3F381N8TC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 870mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.98A, 3.36A  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base ZXMHC3F381  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC

Attributs du produit ZXMHC3F381N8TC ZXMHC6A07N8TC ZXMHC3A01T8TA ZXMHC6A07T8TA
Modèle de produit ZXMHC3F381N8TC ZXMHC6A07N8TC ZXMHC3A01T8TA ZXMHC6A07T8TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 300mOhm @ 1.8A, 10V
Numéro de produit de base ZXMHC3F381 ZXMHC6A07 ZXMHC3 ZXMHC6
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V 3.2nC @ 10V 3.9nC @ 10V 3.2nC @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 870mW 870mW 1.3W 1.3W
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 SOT-223-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.98A, 3.36A 1.39A, 1.28A 2.7A, 2A 1.6A, 1.3A
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V 30V 60V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO SM8 SM8
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V 166pF @ 40V 190pF @ 25V 166pF @ 40V

Fiche technique ZXMHC3F381N8TC PDF

Téléchargez ZXMHC3F381N8TC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMHC3F381N8TC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
ZXMHC3F381N8.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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