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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMHC10A07T8TA
ZXMHC10A07T8TA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMHC10A07T8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMHC10A07T8TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Description détaillée
Emballage
SOT-223-8
Fiche technique
ZXMHC10A07T8TA.pdf
État RoHS
En stock: 37130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SM8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V  
Puissance - Max 1.3W  
Package / Boîte SOT-223-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A, 800mA  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base ZXMHC10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA

Attributs du produit ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
Modèle de produit ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A, 800mA - 1.39A, 1.28A 2.3A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V 270pF @ 25V 166pF @ 40V 290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V 7nC @ 10V 3.2nC @ 10V 8nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 1.3W 1.04W 870mW 1.04W
Package composant fournisseur SM8 8-MSOP 8-SO 8-MSOP
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100V 30V 60V 30V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V 185mOhm @ 1.2A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte SOT-223-8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Numéro de produit de base ZXMHC10 ZXMD63 ZXMHC6A07 ZXMD63
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)

Fiche technique ZXMHC10A07T8TA PDF

Téléchargez ZXMHC10A07T8TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXMHC10A07T8TA.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated
32D-ZXMHC10A07T8TA

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