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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMHC3A01T8TA
ZXMHC3A01T8TA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMHC3A01T8TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMHC3A01T8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMHC3A01T8TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Description détaillée
Emballage
SOT-223-8
Fiche technique
ZXMHC3A01T8TA.pdf
État RoHS
En stock: 39516

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMHC3A01T8TA
Diodes Incorporated - ZXMHC3A01T8TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMHC3A01T8TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SM8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Puissance - Max 1.3W  
Package / Boîte SOT-223-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A, 2A  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base ZXMHC3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMHC3A01T8TA

Attributs du produit ZXMHC3A01T8TA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Modèle de produit ZXMHC3A01T8TA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 33mOhm @ 5A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 9nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SM8 8-SO SM8 8-SO
Séries - - - -
Fonction FET Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 138pF @ 60V 138pF @ 60V 430pF @ 15V
Package / Boîte SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A, 2A 800mA, 680mA 1A, 800mA 3.98A, 3.36A
Tension drain-source (Vdss) 30V 100V 100V 30V
Puissance - Max 1.3W 870mW 1.3W 870mW
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Numéro de produit de base ZXMHC3 ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC3F381
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique ZXMHC3A01T8TA PDF

Téléchargez ZXMHC3A01T8TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMHC3A01T8TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXMHC3A01T8TA.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMHC3A01T8TA

Diodes Incorporated
32D-ZXMHC3A01T8TA

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