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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMHC3A01N8TC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMHC3A01N8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMHC3A01N8TC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMHC3A01N8.pdf
État RoHS
En stock: 96090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V  
Puissance - Max 870mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.17A, 1.64A  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base ZXMHC3A01  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC

Attributs du produit ZXMHC3A01N8TC ZXMD63P03XTA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA
Modèle de produit ZXMHC3A01N8TC ZXMD63P03XTA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 7nC @ 10V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V
Package composant fournisseur 8-SO 8-MSOP 8-SO SM8
Numéro de produit de base ZXMHC3A01 ZXMD63 ZXMHC10A07 ZXMHC10
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 270pF @ 25V 138pF @ 60V 138pF @ 60V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.17A, 1.64A - 800mA, 680mA 1A, 800mA
Puissance - Max 870mW 1.04W 870mW 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V 185mOhm @ 1.2A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 100V 100V
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique ZXMHC3A01N8TC PDF

Téléchargez ZXMHC3A01N8TC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMHC3A01N8TC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMHC3A01N8.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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