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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFSL4229PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFSL4229PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFSL4229PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFSL4229PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRFSL4229PBF.pdf
En stock: 4160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFSL4229PBF
Infineon Technologies - IRFSL4229PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFSL4229PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFSL4229PBF

Attributs du produit IRFSL4229PBF IRFSL3607PBF IRFSL4410 IRFSL4321PBF
Modèle de produit IRFSL4229PBF IRFSL3607PBF IRFSL4410 IRFSL4321PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 80A (Tc) 96A (Tc) 85A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 75 V 100 V 150 V
Package composant fournisseur TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 140W (Tc) 250W (Tc) 350W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFSL4229PBF PDF

Téléchargez IRFSL4229PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFSL4229PBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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